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一种DC~10GHz的低附加相移高衰减精度的开关型衰减器
引用本文:王楠.一种DC~10GHz的低附加相移高衰减精度的开关型衰减器[J].中国集成电路,2023(4):50-54.
作者姓名:王楠
作者单位:中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘    要:本文设计了一种DC~10GHz的带有低附加相移以及高衰减精度的6位开关型衰减器。分析了三种传统的开关型的T型、简化T型以及∏型衰减器的拓扑结构1],通过在∏型衰减器的结构中采用电感和电容补偿技术,实现在超宽带范围内的低附加相移2]。该基于55-nm CMOS工艺的6位衰减器,芯片核心版图面积为0.05mm2,仿真结果表明,该衰减器在DC~10GHz频段范围内的插入损耗为3dB~4.3dB,64态的回波损耗均小于10.6dB,衰减误差的均方根值小于0.18dB,64态的衰减附加相移小于2.5度,衰减器在5GHz时处于参考态下的1dB压缩点对应的输入功率为7.7dBm。

关 键 词:衰减器  相控阵  CMOS  开关型  相位补偿  低插入损耗
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