三阱CMOS工艺单粒子闩锁研究

随着数模混合电路在无线应用领域的发展，三阱工艺噪声隔离优点引起设计师的广泛兴趣。RF技术必须把在P-衬底上的模拟、数字和RF电路进行隔离。本文主要讨论三阱（Triple-Well）工艺的电路单粒子闩锁问题。