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| 高压SiC MOSFET研究现状与展望 | |
| 引用本文： | 孙培元,孙立杰,薛哲,佘晓亮,韩若麟,吴宇薇,王来利,张峰.高压SiC MOSFET研究现状与展望[J].电子与封装,2023(1):115-126. |
| 作者姓名： | 孙培元 孙立杰 薛哲 佘晓亮 韩若麟 吴宇薇 王来利 张峰 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学电气工程学院;2. 厦门大学物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压Si C MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压Si C MOSFET器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。 |
| 关 键 词： | Si C MOSFET 品质因数 终端结构 |