芯片三维互连技术及异质集成研究进展 |
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引用本文: | 钟毅,江小帆,喻甜,李威,于大全.芯片三维互连技术及异质集成研究进展[J].电子与封装,2023(3):18-28. |
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作者姓名: | 钟毅 江小帆 喻甜 李威 于大全 |
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作者单位: | 1. 厦门大学电子科学与技术学院 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费专项资金(20720220072);;国家自然科学基金青年项目(62104206); |
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摘 要: | 集成电路的纳米制程工艺逐渐逼近物理极限,通过异质集成来延续和拓展摩尔定律的重要性日趋凸显。异质集成以需求为导向,将分立的处理器、存储器和传感器等不同尺寸、功能和类型的芯片,在三维方向上实现灵活的模块化整合与系统集成。异质集成芯片在垂直方向上的信号互连依赖硅通孔(TSV)或玻璃通孔(TGV)等技术实现,而在水平方向上可通过再布线层(RDL)技术实现高密度互连。异质集成技术开发与整合的关键在于融合实现多尺度、多维度的芯片互连,通过三维互连技术配合,将不同功能的芯粒异质集成到一个封装体中,从而提高带宽和电源效率并减小延迟,为高性能计算、人工智能和智慧终端等提供小尺寸、高性能的芯片。通过综述TSV、TGV、RDL技术及相应的2.5D、3D异质集成方案,阐述了当前研究现状,并探讨存在的技术难点及未来发展趋势。
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关 键 词: | 三维异质集成 先进封装 硅通孔 玻璃通孔 再布线层 |
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