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碳化硅材料性能优异,应用迎来发展良机
作者姓名:刘宇浩
作者单位:南方科技大学深港微电子学院
摘    要:碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领域。本文介绍了碳化硅产业链及其应用领域和发展前景。

关 键 词:碳化硅  功率半导体  外延
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