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| 半导体放电加工中接触电阻的影响因素研究 | |
| 引用本文： | 吴春艳,陆亦工,高长水,刘少学.半导体放电加工中接触电阻的影响因素研究[J].机电一体化,2014,20(11). |
| 作者姓名： | 吴春艳 陆亦工 高长水 刘少学 |
| 作者单位： | 1. 新疆工程学院电气与信息工程系,乌鲁木齐,830091 2. 南京航空航天大学机电学院,南京,210016 3. 解放军69080部队,乌鲁木齐,830002 |
| 基金项目： | 新疆乌鲁木齐市科技计划资助项目 |
| 摘 要： | 从理论上分析了产生接触电阻的原因,建立了切割回路中的导电原理模型。分析了如进电方式、进电材料、接触压力等因素对接触电阻的影响。实验结果表明:选择进电材料时,进电材料的功函数与所要加工的半导体的功函数尽量接近;选择接触形式,两个材料接触时要形成面接触,同时在允许的范围内尽量增大接触压力来减小接触间隙,这样会得到更小的接触电阻。 |
| 关 键 词： | 半导体放电加工 接触电阻 研究 |
Study Factor's Effect of Contact Resistance in Semiconductors WEDM |
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| Abstract: | |
| Keywords: | semiconductors WEDM contact resistance study |
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