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激光二极管端面抽运圆形截面Nd:GdVO4晶体的热形变
引用本文:史彭,李隆,甘安生,陈文. 激光二极管端面抽运圆形截面Nd:GdVO4晶体的热形变[J]. 中国激光, 2006, 33(10): 324-1328
作者姓名:史彭  李隆  甘安生  陈文
作者单位:1. 西安建筑科技大学理学院,陕西,西安,710055
2. 西安建筑科技大学理学院,陕西,西安,710055;西北大学光子学与光子技术研究所,西北大学光电子省级重点开放实验室,陕西,西安,710069
摘    要:以解析分析理论为基础,研究圆截面Nd:GdVO4激光晶体受到具有高斯分布半导体激光端面中心入射时,晶体温度场分布和抽运面热形变分布情况。通过对激光二极管(LD)端面入射晶体工作特点分析,建立了符合实际工作情况的热模型,利用热传导方程新求解方法,得出了圆形截面Nd:GdVO4晶体温度场分布和端面热形变场通解表达式,对比分析了圆形截面和矩形截面Nd:GdVO4晶体的热形变。研究结果表明,当使用输出功率为15W激光二极管端面中心入射Nd:GdVO4激光晶体时,在抽运端面中心获得187.5℃最高温升和1.313μm最大热形变量。两种截面晶体具有相同的热形变形状,当截面尺寸不太大时,如果圆形截面晶体的半径等于矩形截面晶体半边长,最大热形变量将减少4.1%。这种方法还可以应用到其他圆形截面晶体热问题研究中,为有效解决激光系统热问题提供了理论依据。

关 键 词:激光物理  Nd:GdVO4激光器热效应  解析理论  圆形截面  温度场  热形变场
文章编号:0258-7025(2006)10-1324-05
收稿时间:2006-02-14
修稿时间:2006-04-18

Research on Thermal Distortion of Nd: GdVO4 Crystal with Laser Diode End-Pumped Circular Section
SHI Peng,LI Long,GAN An-sheng,CHEN Wen. Research on Thermal Distortion of Nd: GdVO4 Crystal with Laser Diode End-Pumped Circular Section[J]. Chinese Journal of Lasers, 2006, 33(10): 324-1328
Authors:SHI Peng  LI Long  GAN An-sheng  CHEN Wen
Abstract:
Keywords:
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