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| 超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱 | |
| 作者姓名： | 俞志毅 叶红娟 沈学础 Eugene E. Haller |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室，Lawrence Berkeley Laboratory，University of California，Berkeley，CA 94720，USA 上海，上海，上海 |
| 摘 要： | 报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S(T_2)到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm~(-1)(2.82meV)和33.980m~(-1)(4.21meV)。 |
| 关 键 词： | 超纯Ge 浅杂质 光热电离光谱 能谷-轨道分裂 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |