| 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用 |
| |
| 引用本文： | 孙立宁,王家畴,荣伟彬,李欣昕.基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用[J].半导体学报,2008,29(8):1589-1594. |
| |
| 作者姓名： | 孙立宁 王家畴 荣伟彬 李欣昕 |
| |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室，哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室，哈尔滨 150001;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点联合实验室，上海 200050;哈尔滨工业大学先进机器人与系统国家重点实验室，哈尔滨 150001;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点联合实验室，上海 200050 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部长江学者和创新团队发展计划 |
| |
| 摘 要： | 为了提高面内运动位移检测的灵敏度和改善侧壁压阻工艺与其他工艺间的兼容性问题,研究了一种可用于面内运动位移检测的传感器,提出了利用离子注入工艺和深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺相结合制作榆测梁侧壁压阻的方法.侧壁压阻式位移传感器的灵敏度比在检测梁表面制作压阻的传统位移传感器高近一倍.同时把位移传感器集成到基于体硅工艺的纳米级定位平台上,实验测试表明.这种位移传感器加工技术可以很容易地与其他工艺相兼容,位移传感器的灵敏度优于0.903mV/μm,线形度优于O.814%,分辨率优于12.3nm.
|
| 关 键 词： | 微机电系统 侧壁压阻 定位平台 反应离子刻蚀 位移传感器 |
| 收稿时间： | 3/24/2008 9:16:59 AM |
| 修稿时间： | 4/8/2008 9:57:22 AM |
Development of a Displacement Sensor with a Sidewall Piezoresistor and Its Typical Application |
| |
| Sun Lining,Wang Jiachou,Rong Weibin and Li Xinxin.Development of a Displacement Sensor with a Sidewall Piezoresistor and Its Typical Application[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(8):1589-1594. |
| |
| Authors: | Sun Lining Wang Jiachou Rong Weibin and Li Xinxin |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Robotics and System,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China;State Key Laboratory of Robotics and System,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China;State Key Laboratory of Transducer Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 20050,China;State Key Laboratory of Robotics and System,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China;State Key Laboratory of Transducer Technology,Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 20050,China |
| |
| Abstract: | For improving displacement sensor sensitivity to detect the motion in-plane and to improve the vertical sidewall surface,a new displacement sensor used for detecting motion in-plane is proposed.Piezoresistor technology is compatible with the other micromachining technology.This sensor can be integrated with other devices easily and fabricated with ion implantation technology combined with deep reactive ion etching technology.This design doubles the sensitivity compared with the conventional design because i... |
| |
| Keywords: | MEMS sidewall piezoresistors xy-stage DRIE displacement sensor |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
