| TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究 |
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| 引用本文： | 王瑜,彭斌,李川,张万里,刘兴钊.TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究[J].压电与声光,2015,37(2):280-282. |
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| 作者姓名： | 王瑜 彭斌 李川 张万里 刘兴钊 |
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| 作者单位： | （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054） |
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| 基金项目： | 自然科学基金资助项目（61223002）；四川省青年科技创新团队基金资助项目（2011HTD0006） |
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| 摘 要： | 采用中频磁控反应溅射,提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AlN薄膜的两步法工艺。利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征。研究结果表明,利用该文提出的两步法工艺可在TC4钛合金衬底上制备出表面粗糙度为2.3nm、c轴XRD摇摆曲线半高宽为4.1°的AlN薄膜,满足制作压电微机电系统(MEMS)器件或薄膜声表面波(SAW)和体声波器件的需求。
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| 关 键 词： | TC4钛合金 中频磁控反应溅射 两步法 AlN薄膜 声表面波(SAW)器件 |
Study on Preparation of c axis Orientation AlN Film Deposited on TC4 Titanium Alloy |
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| WANG Yu,PENG Bin,LI Chuan,ZHANG Wangli and LIU Xingzhao.Study on Preparation of c axis Orientation AlN Film Deposited on TC4 Titanium Alloy[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(2):280-282. |
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| Authors: | WANG Yu PENG Bin LI Chuan ZHANG Wangli and LIU Xingzhao |
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| Affiliation: | (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TC4 titanium alloy MF magnetron sputtering two step deposition process AlN thin film SAW device |
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