| 化学气相沉积制备碳化钨纳米晶薄膜 |
| |
| 引用本文： | 郑华均,马淳安,黄建国,赵峰鸣,朱英红.化学气相沉积制备碳化钨纳米晶薄膜[J].浙江工业大学学报,2005,33(4):368-371. |
| |
| 作者姓名： | 郑华均 马淳安 黄建国 赵峰鸣 朱英红 |
| |
| 作者单位： | 浙江工业大学,化学工程与材料学院,浙江,杭州,310032 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 采用氟化钨(WF6)和甲烷(CH4)为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备具有纳米晶结构的碳化钨薄膜.采用SEM,XRD,EDS等方法表征了碳化钨薄膜的形貌、晶体结构和化学组成.通过表征,表明在前驱体混合气体中的甲烷与氟化钨气体的流量比(碳钨比)为20,基底温度为800 ℃的条件下得到的碳化钨薄膜是由直径为20～35 nm的圆球状纳米晶构成.通过分析影响薄膜的晶体结构、化学组成的因素后,认为要得到具有纳米晶结构的碳化钨薄膜,主要应控制前驱体气体中的碳钨比以及基底温度.
|
| 关 键 词： | 碳化钨 纳米晶薄膜 等离子增强化学气相沉积 |
| 文章编号： | 1006-4303(2005)04-0368-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-30 |
| 修稿时间： | 2004年12月30 |
Plasma enhanced chemical vapour deposition Nanocrystalline tungsten carbide thin films |
| |
| ZHENG Hua-jun,MA Chun-an,HUANG Jian-guo,ZHAO Feng-ming,ZHU Ying-hong.Plasma enhanced chemical vapour deposition Nanocrystalline tungsten carbide thin films[J].Journal of Zhejiang University of Technology,2005,33(4):368-371. |
| |
| Authors: | ZHENG Hua-jun MA Chun-an HUANG Jian-guo ZHAO Feng-ming ZHU Ying-hong |
| |
| Abstract: | Nanocrystalline tungsten carbide thin films have been deposited by low temperature plasma enhanced chemical vapour deposition from a WF6/CH4/H2/Ar mixture on Aluminum substrates. The phase composition of the deposition films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive spectrometer(EDS). The results show that with the precursor CH4/WF6 concentration ratio 20 the tungsten carbide thin film, composed of 2035 nm diameter sphere nanocrystallines, deposited at temperature 800. It was also found that the formation of nanocrystalline resulted from the effect of the precursor CH4/ WF6 concentration ratio and deposition temperature. |
| |
| Keywords: | tungsten carbide Nanocrystalline thin film PECVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
