| 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素 |
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| 引用本文： | 姚永生. 电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素[J]. 冶金分析, 2010, 30(7): 48-51 |
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| 作者姓名： | 姚永生 |
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| 作者单位： | 河南省有色金属地质矿产局第一地质大队; |
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| 摘 要： | 提出了使用电感耦合等离子体原子发射光谱同时测定碳化硅中微量Fe、Al、Ti、Ca、Mg、P、Mn的分析方法。样品用无水碳酸钠与硼酸混合熔剂熔融,硝酸提取,甲醇除硼,氢氟酸挥硅,然后在选定的仪器工作条件下测定。使用基体匹配法来校正基体的干扰。各元素的测定检出限为0.001~0.054μg/mL,相对标准偏差(RSD,n=9)为0.5%~3.7%。经比对试验证明,本法测定值与其他方法测定值相符合。
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| 关 键 词： | 电感耦合等离子体原子发射光谱法 碳化硅 微量元素 |
Determination of impurity elements in silicon carbide by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry |
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| YAO Yong-sheng. Determination of impurity elements in silicon carbide by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry[J]. Metallurgical Analysis, 2010, 30(7): 48-51 |
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| Authors: | YAO Yong-sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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