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基于区域化的CMOS模型参数提取方法
引用本文:张少勇,黄风义,池毓宋,吴忠洁,姜楠. 基于区域化的CMOS模型参数提取方法[J]. 电气电子教学学报, 2005, 27(3): 40-43
作者姓名:张少勇  黄风义  池毓宋  吴忠洁  姜楠
作者单位:东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司,上海,201203
摘    要:根据CMOS的可缩放特性,提出了一种基于区域化(Binning)的模型参数提取方法。本方法首先按器件的尺寸划分区间,然后计算参数的缩放系数,最后根据缩放公式确定同一区间内不同尺寸器件的参数值。而传统的CMOS参数提取方法是在一定的区间内提取一个典型的参数值,用它代表整个区间内器件的参数值。与传统方法相比,本方法提高了模型参数的精度。针对一组0.35μm CMOS器件,利用本方法获得的缩放系数计算了区间内几个单管的模型参数,所得到的结果与针对每个单管提取参数的结果吻合得很好,平均误差小于6%。

关 键 词:区域化  CMOS  模型参数  可缩放性  参数提取
文章编号:1008-0686(2005)03-0040-04
修稿时间:2005-03-23

A New Extraction Method for CMOS Model Parameter Based on Binning
ZHANG Shao-yong,HUANG Feng-yi,JIANG Yu-song,WU Zhong-jie,JIANG Nan. A New Extraction Method for CMOS Model Parameter Based on Binning[J]. Journal of Electrical & Electronic Engineering Education, 2005, 27(3): 40-43
Authors:ZHANG Shao-yong  HUANG Feng-yi  JIANG Yu-song  WU Zhong-jie  JIANG Nan
Abstract:
Keywords:CMOS
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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