| GaAs(100)衬底上热壁外延生长的ZnSe薄膜光学声子散射光谱研究 |
| |
| 引用本文： | 劳浦东,姚文华,王杰,郑思定.GaAs(100)衬底上热壁外延生长的ZnSe薄膜光学声子散射光谱研究[J].半导体学报,1991,12(7):387-391. |
| |
| 作者姓名： | 劳浦东 姚文华 王杰 郑思定 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 上海200433
(劳浦东，王杰)，复旦大学分析测试中心 上海200433
(姚文华)，复旦大学分析测试中心 上海200433(郑思定) |
| |
| 摘 要： | 本文给出n型GaAs(100)衬底上热壁外延生长的Znse薄膜室温喇曼散射分析.Znse纵光学(LO)声子喇曼峰的线宽测量表明作者已在GaAs(100)衬底上用封闭式热壁外延法长出了高质量ZnSe单晶膜.较差质量外延膜在背散射喇曼谱中出现的横光学(TO)声子峰被归之于外延膜生长过程中与孪生有关的微观取向错误的出现.首次在意到GaAs表面化学腐蚀处理使n型GaAs的LO声子-等离子激元耦合模喇曼强度有成倍提高,并证明这是因为化学腐蚀使GaAs表面氧化层厚度减小,增加了入射激光束在GaAs基质材料中的穿透深度.
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
