B位掺杂对(Pb,Ca)(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷微波介电性能的影响 |
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引用本文: | 卞建江,钟永贵.B位掺杂对(Pb,Ca)(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷微波介电性能的影响[J].材料导报,2000(Z10):155-157. |
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作者姓名: | 卞建江 钟永贵 |
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作者单位: | 上海大学电子信息材料系,上海 |
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摘 要: | 研究了B位分别掺杂Sn^4+、Zr^4+、Ce^4+对(Pb0.45Ca0.25)(Fe1/2Nb1/2)O3(PCFN)陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结(1200℃/2h),B位大半径离子的掺入使介电常数降低,适量的B位掺杂能不同程度的改进PCFN陶瓷的综合微波介电性能。用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为928.4MHz下,插入损耗为2.469dB,满足插入损耗应小于3dB的要求,在移动通信中有着实际应用前景。
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关 键 词: | 介电损耗 PCFN陶瓷 B位掺杂 微波介电性能 |
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