| 基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器 |
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| 引用本文： | 郭智博,汪莱,郝智彪,罗毅. 基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器[J]. 真空科学与技术学报, 2012, 32(12): 1089-1092 |
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| 作者姓名： | 郭智博 汪莱 郝智彪 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室清华大学电子工程系 北京100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(2011CB301902,2011CB301903);国家高技术研究发展计划(2011AA03A112);国家自然科学基金项目(60723002,50706022,60977022,51002085);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14)资助的课题 |
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| 摘 要： | 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器.栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用.器件的栅极敏感区域尺寸为5 μm×400μm,对常温下氢气浓度为2× 10-6至6216× 10-6的氢气/氮气混合气进行了检测.结果表明,在VGs=-1.5V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9％的灵敏度变化量.同时,器件对2× 10-6的氢气具有6.3％的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 氢气传感 灵敏度 恢复特性 |
Development of Hydrogen Sensor Based on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structure |
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| Guo Zhibo,Wang Lai,Hao Zhibiao,Luo Yi. Development of Hydrogen Sensor Based on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structure[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2012, 32(12): 1089-1092 |
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| Authors: | Guo Zhibo Wang Lai Hao Zhibiao Luo Yi |
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| Affiliation: | (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology / State Key Laboratory on Integrated OptoelectronicsDepartment of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China) |
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