| O2/SF6气氛下光刻胶灰化反应的机理研究 |
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| 引用本文： | 徐大林,丁欣,侯智,刘祖宏,郑载润,刘锋.O2/SF6气氛下光刻胶灰化反应的机理研究[J].真空科学与技术学报,2012,32(12):1109-1113. |
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| 作者姓名： | 徐大林 丁欣 侯智 刘祖宏 郑载润 刘锋 |
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| 作者单位： | 合肥京东方光电科技有限公司 合肥230012 |
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| 摘 要： | 光刻胶的大面积灰化是TFT工艺的核心工艺之一,本文研究了在增强型电容耦合射频放电模式下,SF6比例对光刻胶灰化率的影响,并建立表面反应模型对此进行解释.研究表明,纯O2气体中加入少量SF6,能够有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶的生成量,增大光刻胶灰化率.当SF6比例过高时,氟原子与氧原子形成化学吸附位竞争将导致光刻胶灰化率降低,而粒子间碰撞的加剧与溅射产率的下降使这一趋势愈加明显.
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| 关 键 词： | 光刻胶 增强型电容耦合射频放电 灰化 光谱分析 表面反应模型 |
Ashing Mechanism of Photo-Resist in Oxygen-Sulfur Hexafluoride Mixtures |
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| Xu Dalin,Ding Xin,Hou Zhi,Liu Zuhong,Zheng Zairun,Liu Feng.Ashing Mechanism of Photo-Resist in Oxygen-Sulfur Hexafluoride Mixtures[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2012,32(12):1109-1113. |
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| Authors: | Xu Dalin Ding Xin Hou Zhi Liu Zuhong Zheng Zairun Liu Feng |
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| Affiliation: | (Hefei BOE Optoelectronics Technology Co.,Ltd.,Hefei 230012,China) |
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