| 半桥驱动器中高压电平位移电路的研究 |
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| 引用本文： | 艾俊华,何杞鑫,方绍华.半桥驱动器中高压电平位移电路的研究[J].电力电子技术,2005,39(1):109-111. |
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| 作者姓名： | 艾俊华 何杞鑫 方绍华 |
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| 作者单位： | 浙江大学,浙江,杭州,310027;浙江大学,浙江,杭州,310027;浙江大学,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进行了功能仿真并给出了实验结果。仿真采用0.6滋mBiCMOS工艺。
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| 关 键 词： | 驱动电路/半桥驱动器 电平位移 高压功率器件 |
| 文章编号： | 1000-100X(2005)01-0109-03 |
| 修稿时间： | 2004年7月2日 |
Research on High Voltage Level Shifter in Half-bridges Drive |
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| AI Jun-hua,HE Qi-xin,FANG Shao-hua.Research on High Voltage Level Shifter in Half-bridges Drive[J].Power Electronics,2005,39(1):109-111. |
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| Authors: | AI Jun-hua HE Qi-xin FANG Shao-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | driving circuit/half-bridge driver level shifter high-voltage power device |
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