| 催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线 |
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| 引用本文： | 郑春蕊.催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线[J].材料导报,2013,27(Z1):4-5,10. |
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| 作者姓名： | 郑春蕊 |
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| 作者单位： | 石家庄经济学院材料科学与工程研究所,石家庄050031;北京理工大学材料科学与工程学院,北京100081 |
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| 摘 要： | 采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气(V-L-S)机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿102]方向生长。室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580nm(0.78eV)处存在很强的无缺陷的带边发射,与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致,表现出良好的光电性能。
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| 关 键 词： | InN 纳米线 化学气相沉积 |
Fabrication of InN Nanowires by the Catalyst-assisted Chemical Vapor Deposition Method |
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| ZHENG Chunrui.Fabrication of InN Nanowires by the Catalyst-assisted Chemical Vapor Deposition Method[J].Materials Review,2013,27(Z1):4-5,10. |
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| Authors: | ZHENG Chunrui |
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| Affiliation: | ZHENG Chunrui(Institute of Material Science and Engineering,Shijiazhuang University of Economics,Shijiazhuang 050031;School of Material Science and Engineering,Beijing Institute of Technology,Beijing 100081) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InN nanowire chemical vapor deposition |
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