| 潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质 |
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| 引用本文： | 李慧玉,施芸城,闫永辉,杨平,冯贤平. 潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质[J]. 真空, 2006, 43(2): 32-35 |
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| 作者姓名： | 李慧玉 施芸城 闫永辉 杨平 冯贤平 |
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| 作者单位： | 1. 东华大学,上海,200051
2. 波多黎各大学,圣胡安,00931-3343 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目;重庆市应用基础研究基金;波多黎各大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 设计并制造了新的潘宁型等离子体源实验装置，分析了等离子体的发射光谱和产生AIN的动力学机理。在室温条件下，纯氮气的工作环境中用潘宁放电离子源溅射的方法，在Si（100）衬底上制备了纳米级的光滑平整AIN薄膜。本文用扫描电镜（SEM），原子力显微镜（ATM），红外吸收光谱（FTIR）和拉曼光谱（Raman shift）等测试分析技术用来研究了薄膜的微结构特征。
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| 关 键 词： | 潘宁放电 溅射 AlN薄膜 |
| 文章编号： | 1002-0322（2006）02-0032-04 |
| 收稿时间： | 2005-03-18 |
| 修稿时间： | 2005-03-18 |
Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process |
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| LI Hui-yu,SI Yun-cheng,YAN Yong-hui,YANG Ping,FENG Xian-ping. Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process[J]. Vacuum(China), 2006, 43(2): 32-35 |
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| Authors: | LI Hui-yu SI Yun-cheng YAN Yong-hui YANG Ping FENG Xian-ping |
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| Affiliation: | 1. Departrntnt of Physics, Dong Hua Untvrsity, Shanghai 200051, China ; 2. Department of Physics University of Puerto Rico, San Juan 00931-3343 ,USA |
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| Abstract: | Aluminum nitride films were synthesized on Si(100) substrates at room temterature by penning-type discharge plasma sputtering process.The surface morphology of the films indicated that the AlN films deposited are very smooth and homogeneous.Their microstructures were investigated by Raman spectroscopy and FTIR spectroscopy. |
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| Keywords: | penning-type discharge sputtering aluminum nitride |
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