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| 第十八届国际固体器件和材料会议 | |
| 作者姓名： | 付潇妃 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 |
| 摘 要： | <正>第十八届国际固体器件和材料会议于1986年8月20日至22日在日本东京召开.参加本届会议的代表近千名,他们分别来自二十多个国家.会议收到论文174篇,最新消息35篇,其中特邀报告23篇.论文内容包括:光刻,Si和GaAs外延工艺,MOS器件及工艺,Si上生长GaAs,异质结器件,高速GaAs集成电路,绝缘栅和热电子等26个专题.这些论文分别在东京Price Hotel的四个会场进行宣读和讨论.我国有5篇(其中台湾省2篇)论文,我所朱恩均同志也作了报告.这些论文的内容反映了国际微波器件和材料在小型器件、异质结、光器件、低温操作和半导体材料工艺上又有了重大的进展.现分两个方面进行介绍. |
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