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| CMOS／BESOI器件的电离辐照特性 | |
| 引用本文： | 严荣良,高剑侠.CMOS／BESOI器件的电离辐照特性[J].上海微电子技术和应用,1996(1):1-3,13. |
| 作者姓名： | 严荣良 高剑侠 |
| 摘 要： | 采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。 |
| 关 键 词： | CMOS BESOI 电离辐照 微电子器件 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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