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| 用热分解气相生长法制作的GaAlAs激光器 | |
| 引用本文： | 疾风.用热分解气相生长法制作的GaAlAs激光器[J].半导体技术,1980(6). |
| 作者姓名： | 疾风 |
| 摘 要： | 日本索尼中央研究所用有机化合物热分解反应的气相生长法,制成了在可见光区可获得室温连续振荡的半导体激光器.室温连续振荡的最短波长为760nm.晶体的生长,是采用三甲基镓TMG]、三甲基铝TMA]、AsH_3的热分解反应来进行的.衬底是掺Te的GaAs.衬底温度大约为700℃,以大约0.2μm/分的生长速度进行连续5层的气相生长.生长层中的Al的成分基本上与气相中的TMA和TMG的分压比成正比.在2cm×2cm的片子内几乎没有波动.有源层不掺杂,厚度为0.1μm时的阈 |
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