| 快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响 |
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| 引用本文： | 张延庆 刘家璐. 快速热退火对锑化铟表层化学配比的影响[J]. 微细加工技术, 1991, 0(2): 62-65 |
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| 作者姓名： | 张延庆 刘家璐 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所 710071(张廷庆)，西安电子科技大学微电子所 710071(刘家璐) |
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| 基金项目： | 中国科学院上海冶金所离子束开放实验研究室的资助 |
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| 摘 要： | 锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合是一种最佳的选择。本文借助俄歇电子能谱(AES)对在快速退火条件下锑化铟表层化学配比的偏离进行了系统的研究。
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| 关 键 词： | 锑化铟 化合物半导体 热退火 |
EFFECT OF RAPID THERMAL ANNEALING ON DEVIATION OF STOICHIOMETRY IN SURFACE LAYER OF InSb |
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| T.Q.Zhang and J.L.Liu. EFFECT OF RAPID THERMAL ANNEALING ON DEVIATION OF STOICHIOMETRY IN SURFACE LAYER OF InSb[J]. Microfabrication Technology, 1991, 0(2): 62-65 |
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| Authors: | T.Q.Zhang and J.L.Liu |
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| Abstract: | InSb is a narrow gap semiconductor, In recent years it has been attracted as a material for 3 - 5 uni infrared detector arrays. In order to make high quality P-N junction photodiodes in InSb, Be implantation combined with rapid thermal annealing (RTA)technology is a better choice. In this paper the effect of RTA on deviation of stoichiometry in surface layer of InSb has been systematically studied by Auger electron spectroscopy (AES). |
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| Keywords: | InSb Rapid Thermal Annealing (RTA) Ion Implantation. |
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