| 预制层结构成分对溅射后硒化制备CIGS薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 王卫兵,刘平,李伟,马凤仓,刘新宽,何代华. 预制层结构成分对溅射后硒化制备CIGS薄膜的影响[J]. 材料导报, 2013, 27(4): 93-96 |
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| 作者姓名： | 王卫兵 刘平 李伟 马凤仓 刘新宽 何代华 |
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| 作者单位： | 1. 上海理工大学机械工程学院,上海,200093
2. 上海理工大学材料科学与工程学院,上海,200093 |
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| 基金项目： | 上海市科技攻关项目，上海市教委重点学科项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了不同结构成分的铜铟镓(CIG)预制层,对预制层进行硒化得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜。采用XRD、SEM及EDS研究了CIG预制层的结构成分对CIGS薄膜的组织与结构的影响。结果表明,不同结构成分的CIG预制层经过硒化后得到的CIGS薄膜中各元素的成分比例差别不大;采用Ga浓度相对较高的CuGa靶制备的两层结构的CIG预制层经硒化后生成的CIGS薄膜,其(112)面择优取向比较明显,晶粒尺寸相对较大。
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| 关 键 词： | CIGS 磁控溅射 CIG预制层 |
Influence of Structure and Composition of Precursor Layer on CIGS Film Prepared by Sputtering and Post-selenization |
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| WANG Weibing,LIU Ping,LI Wei,MA Fengcang,LIU Xinkuan,HE Daihua. Influence of Structure and Composition of Precursor Layer on CIGS Film Prepared by Sputtering and Post-selenization[J]. Materials Review, 2013, 27(4): 93-96 |
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| Authors: | WANG Weibing LIU Ping LI Wei MA Fengcang LIU Xinkuan HE Daihua |
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| Affiliation: | 1 School of Mechanical Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093;2 School of Materials Science and Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093) |
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