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| MOCVD生长低阈值AlGaAs可见光激光器 | |
| 引用本文： | D. Kasemset,杨成珠.MOCVD生长低阈值AlGaAs可见光激光器[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | D. Kasemset 杨成珠 |
| 作者单位： | 美国罗克韦尔国际公司 |
| 摘 要： | 尽管金属有机化学汽相淀积(MOCVD)技术已经成功地用于生长各种各样的光电子学器件,例如太阳电池,双异质结激光器和量子阱激光器,但用一般的MOCVD生长AlGaAs DH激光器有时也出现光致发光效率较低的问题。MOCVD生长AlGaAs DH激光器的初始结果表明能够得到低的阈值电流密度,尽管这个值与LPE获得的最好结果相比仍然很高。在本文中,我们说明只要用心控制好常规的MOCVD的生长条件,就 |
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