| SONOS非挥发性存储器件的研究进展 |
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| 引用本文： | 房少华, 程秀兰,.SONOS非挥发性存储器件的研究进展[J].电子器件,2007,30(4):1211-1215. |
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| 作者姓名： | 房少华 程秀兰 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子学院,上海,200030 |
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| 基金项目： | 上海交通大学校科研和教改项目
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上海市科委资助项目
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上海交大青年科研项目 |
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| 摘 要： | 随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.
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| 关 键 词： | SONOS器件 非挥发性存储器件 high-k |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1211-05 |
| 修稿时间： | 2006-08-31 |
Research Progress of SONOS Nonvolatile Memory Device |
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| FANG Shao-hu,CHENG Xiu-lan.Research Progress of SONOS Nonvolatile Memory Device[J].Journal of Electron Devices,2007,30(4):1211-1215. |
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| Authors: | FANG Shao-hu CHENG Xiu-lan |
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| Affiliation: | School of Microelectronics , Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200030, China |
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| Abstract: | Due to scaling down of nonvolatile memory device,SONOS configuration memory is regarded again.Ultrashort SONOS device and two-bit SONOS device are introduced,and the schemes of changing silicon nitride layer and applying high-K material to improve performance of SONOS device are reviewed.Applying high-K material in nonvolatile memory device should be more promising. |
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| Keywords: | SONOS device nonvolatile memory device high-k |
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