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| 采用新存储单元的超LSI存贮器 | |
| 作者姓名： | 下酉和博 王秀春 |
| 摘 要： | 针对低价格、大容量化市场要求,有必要使动态RAM高密度化。所谓跨入超LSI时代的64K位动态RAM已经批量生产,开始在电子计算机主体结构以及专用计算机中达到实用化。另外,256K存储器的上市是迎接秒读阶段,似乎可以说半导体世界将毅然进入超LSI时代。更进一步,无止境的半导体技术的发展,直到兆位存 |
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