| 嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状 |
| |
| 引用本文： | 尹文,程秀兰. 嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状[J]. 信息技术, 2008, 32(5): 169-173 |
| |
| 作者姓名： | 尹文 程秀兰 |
| |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子学院,上海,200240 |
| |
| 摘 要： | 从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来,相变存储器的发展十分迅猛.相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品.文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点,从相变材料,器件结构,存储阵列等方面分析国内外研究现状,并讨论了器件失效与可靠性问题.
|
| 关 键 词： | 相变存储器 相变材料 器件结构 存储阵列 嵌入式 相变存储器 研究 现状 memory phase change embedded status 问题 器件失效 分析 存储阵列 器件结构 相变材料 工作 存储机理 系统 主流产品 半导体 DRAM |
| 文章编号： | 1009-2552(2008)05-0169-04 |
| 修稿时间： | 2007-10-15 |
Technology and status of embedded phase change memory |
| |
| YIN Wen,CHENG Xiu-lan. Technology and status of embedded phase change memory[J]. Information Technology, 2008, 32(5): 169-173 |
| |
| Authors: | YIN Wen CHENG Xiu-lan |
| |
| Affiliation: | YIN Wen,CHENG Xiu-lan(School of Microelectronics,Shanghai Jiaotong University,Shanghai 200240,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | phase change memory phase change material device structure memory array |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
