| 一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 |
| |
| 引用本文： | 王科范,刘金锋,邹崇文,徐彭寿,潘海滨,张西庚,王文君.一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(1):75-78. |
| |
| 作者姓名： | 王科范 刘金锋 邹崇文 徐彭寿 潘海滨 张西庚 王文君 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
2. 沈阳聚智科技有限公司,沈阳,110003 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目 |
| |
| 摘 要： | 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长.由于采用悬臂式设计,它完全克服了高压短路的问题.电子束蒸发器的性能试验表明,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流.应用这种电子束蒸发器可以在700 ℃,成功沉积出平整的单晶Si薄膜.进一步的试验表明,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点.
|
| 关 键 词： | 电子束蒸发器 Si单晶薄膜 Ge量子点 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED) |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)01-0075-04 |
| 修稿时间： | 2004年7月19日 |
Development and Applications of A New Si Electron Beam Evaporator |
| |
| Wang Kefan,LIU Jinfeng,Zou Chongwen,XU Pengshou,Pan Haibin,Zhang Xigeng,Wang Wenjun.Development and Applications of A New Si Electron Beam Evaporator[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(1):75-78. |
| |
| Authors: | Wang Kefan LIU Jinfeng Zou Chongwen XU Pengshou Pan Haibin Zhang Xigeng Wang Wenjun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Electron beam evaporator Si film Ge quantum dots Atom force microscope(AFM) Reflection high energy electron diffraction(RHEED) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
