直拉硅单晶中的热致微缺陷期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

直拉硅单晶中的热致微缺陷

作者姓名：	宋大有

摘要：	大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD的一种方法,但硅中的氧并不
本文献已被 CNKI 等数据库收录！