| 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件 |
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| 引用本文： | 张志国,杨瑞霞,王,勇,冯,震,杨克武.跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件[J].半导体学报,2005,26(9):1789-1792. |
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| 作者姓名： | 张志国 杨瑞霞 王 勇 冯 震 杨克武 |
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| 作者单位： | [1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能. 器件栅采用场板结构，其中栅长为0.3μm，场板长为0.37μm，源漏间距为3μm. 器件的饱和电流密度为0.572A/mm，最大漏电流密度为0.921A/mm，最大跨导为325mS/mm，由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 跨导 直流特性 场板 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)09-1789-04 |
| 修稿时间： | 2005年2月3日 |
AlGaN/GaN HFET with Transconductance of over 325mS/mm |
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| Zhang Zhiguo ,Yang Ruixia,Wang Yong,Feng Zhen,and Yang Kewu.AlGaN/GaN HFET with Transconductance of over 325mS/mm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(9):1789-1792. |
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| Authors: | Zhang Zhiguo Yang Ruixia Wang Yong Feng Zhen and Yang Kewu |
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| Affiliation: | Zhang Zhiguo 1,2,Yang Ruixia1,Wang Yong2,Feng Zhen2,and Yang Kewu 1,2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HFET transconductance DC characteristic field plate |
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