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| Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究 | |
| 引用本文： | 施一生,赵特秀.Pd／W／Si（111）双层膜形成硅化物的XRD研究[J].半导体技术,1993(5):45-48. |
| 作者姓名： | 施一生 赵特秀 |
| 作者单位： | 盐城师范专科学校物理系 江苏盐城224002 (施一生，周荣秋)，中国科学技术大学物理系 合肥230026 (赵特秀，刘洪图)，中国科学技术大学物理系 合肥230026(王晓平) |
| 摘 要： | 对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由于ＰｄＳｉｘ晶粒不断地长大，将Ｗ原子推到薄膜的外层，形成了Ｐｄ－Ｗ原子的分布反转。这样在Ｓｉ衬底的界面处形成了硅化物的浅接触，而薄膜的外层形成了... |
| 关 键 词： | 难熔金属 硅化物 薄膜 |
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