a-S:iH反常退火效应的红外光谱研究(详细摘要~*)

本文报道a-Si:H样品反常退火效应的红外吸收光谱研究。某些原来仅显示880cm~(-1)的单一的键弯曲振动模吸收带的样品,经400～600℃退火后,在840cm~(-1)处出现第二个吸收峰,即转变成通常只有含氢量较高并且存在(SiH_2)_n链的样品中才出现的键弯曲模吸收带的双峰行为,与此相应,2100cm~(-1)吸收带也有异常之处。这一反常实验结果可以从非晶相背底下呈现出微晶晶粒的结构模型出发定性解释。