|
|||||
|
|
| 非晶硅薄膜在电子学领域的应用 | |
| 引用本文： | 张蔷.非晶硅薄膜在电子学领域的应用[J].世界电子元器件,1997(5):58-60. |
| 作者姓名： | 张蔷 |
| 作者单位： | 北京联大电子自动化工程学院 |
| 摘 要： | 近年来,a-Si:H薄膜已引起人们很大的兴趣。这不仅是因为非晶态的固体理论问题需要研究,更主要的是因为非晶硅材料具有诱人的应用前景。 在七十年代以前,人们普遍采用真空蒸发法和溅射法来制备非晶硅薄膜。但当时制备的非晶硅薄膜的性质不佳,因而并不特别受人注意。从七十年代中期开始,发展了辉光放电分解沉积的非晶硅制备技术。由这一技术所制备的非晶硅薄膜,具有十分引人注目的光学和电学性质。它和传统的非晶硅的差别在于材料中含有一定量的氢。氢的引入大大地降低了材料中的缺陷态密度。α-Si:H这一新材料的特点可归纳为: |
| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 电子学 制备 体效应器件 二极管器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |