| 掺铟对碲锰镉晶体性能的影响(英文) |
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| 引用本文： | 栾丽君,介万奇,王涛,杜园园.掺铟对碲锰镉晶体性能的影响(英文)[J].稀有金属材料与工程,2012(3). |
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| 作者姓名： | 栾丽君 介万奇 王涛 杜园园 |
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| 作者单位： | 长安大学道路结构与材料交通行业重点实验室;西北工业大学凝固技术国家重点实验室; |
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| 基金项目： | Special Foundation for Basic Scientific Research of Central Colleges,Chang’an University (CHD2010JC141);State Key Laboratory of Solidification Processing in NWPU (SKLSP 201012 ) |
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| 摘 要： | 通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰。这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故。拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致"类CdTe"的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化。
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| 关 键 词： | 铟掺杂 吸收边 红外透过率 光致发光谱 拉曼光谱 磁化强度 |
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