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CuS纳米线阵列的制备
引用本文:任贤明,江奇,杨高强,柯川,易锦,赵勇.CuS纳米线阵列的制备[J].功能材料,2007,38(4):652-654.
作者姓名:任贤明  江奇  杨高强  柯川  易锦  赵勇
作者单位:西南交通大学,材料科学与工程学院,超导研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,四川,成都,610031
基金项目:国家自然科学基金 , 四川省科技攻关项目
摘    要:将多孔阳极氧化铝模板(AAO)的电化学沉积技术与真空硫化技术相结合,在制备Cu纳米线的基础之上,制备得到了CuS纳米线阵列.采用扫描电子显微镜电镜和X射线衍射仪对二次氧化的AAO模板和所得Cu与CuS纳米线的形貌和结构进行了表征,结果表明所得CuS纳米线不仅具有良好的有序阵列,而且具有多晶结构.在硫化过程中,随着硫化温度的升高,CuS结晶程度增大,在500~550℃时,达到最大的结晶程度.

关 键 词:多孔氧化铝模板  CuS纳米线阵列  硫化
文章编号:1001-9731(2007)04-0652-03
修稿时间:2006-09-26

Preparation of CuS nanowires array
REN Xian-ming,JIANG Qi,YANG Gao-qiang,KE Chuan,YI Jin,ZHAO Yong.Preparation of CuS nanowires array[J].Journal of Functional Materials,2007,38(4):652-654.
Authors:REN Xian-ming  JIANG Qi  YANG Gao-qiang  KE Chuan  YI Jin  ZHAO Yong
Affiliation:Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials (Ministry of Education of China
Abstract:
Keywords:AAO template  CuS nanowires array  sulfuration
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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