| 真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究 |
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| 引用本文： | 权乃承,高斐,孙杰,刘立慧,郝培风.真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究[J].电源技术,2010,34(1). |
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| 作者姓名： | 权乃承 高斐 孙杰 刘立慧 郝培风 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学,物理学与信息技术学院,陕西,西安,710062 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学基础研究计划项目(2005F37) |
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| 摘 要： | 用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。
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| 关 键 词： | ZnS薄膜 热蒸发 光学带隙 Burstin-Moss效应 |
Preparation of ZnS thin films by thermal evaporation and study of its properties |
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| QUAN Nai-cheng,GAO Fei,SUN Jie,LIU Li-hui,HAO Pei-feng.Preparation of ZnS thin films by thermal evaporation and study of its properties[J].Chinese Journal of Power Sources,2010,34(1). |
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| Authors: | QUAN Nai-cheng GAO Fei SUN Jie LIU Li-hui HAO Pei-feng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnS thin film thermal evaporation optical band gap Burstin-Moss effect |
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