|
|||||
|
|
| 直拉硅中氧化诱生层错研究进展 | |
| 引用本文： | 储佳,杨德仁,阙端麟. 直拉硅中氧化诱生层错研究进展[J]. 材料导报, 2001, 15(11): 35-37 |
| 作者姓名： | 储佳 杨德仁 阙端麟 |
| 作者单位： | 浙江大学 |
| 摘 要： | 硅中的氧化诱生层错（OSF）是一种重要的工艺诱生缺陷，会对微电子器件产生重大的影响，为提高硅片质量，要求对OSF有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展，着重讨论了OSF的形成动力学、影响因素和检测方法，并指出：OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。 |
| 关 键 词： | 氧化诱生层错 直拉硅单晶 氧沉淀 半导体材料 缺陷 研究进展 动力学 |
Oxidation-induced Stacking Faults in CZ Silicon |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |