直拉硅中氧化诱生层错研究进展 |
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引用本文: | 储佳,杨德仁,阙端麟. 直拉硅中氧化诱生层错研究进展[J]. 材料导报, 2001, 15(11): 35-37 |
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作者姓名: | 储佳 杨德仁 阙端麟 |
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作者单位: | 浙江大学 |
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摘 要: | 硅中的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大的影响,为提高硅片质量,要求对OSF有充分了解。综述了氧化诱生层错的研究进展,着重讨论了OSF的形成动力学、影响因素和检测方法,并指出:OSF是一种由点缺陷行为决定的工艺诱生缺陷。
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关 键 词: | 氧化诱生层错 直拉硅单晶 氧沉淀 半导体材料 缺陷 研究进展 动力学 |
Oxidation-induced Stacking Faults in CZ Silicon |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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