| 标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析 |
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| 引用本文： | 杨广华,毛陆虹,王伟,黄春红,郭维廉. 标准CMOS工艺U型Si LED器件发光分析[J]. 半导体技术, 2009, 34(5). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.004 |
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| 作者姓名： | 杨广华 毛陆虹 王伟 黄春红 郭维廉 |
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| 作者单位： | 天津工业大学,信患与通信工程学院,天津,300161;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;天津工业大学,信患与通信工程学院,天津,300161 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，天津市应用基础及前沿技术研究计划重点项目 |
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| 摘 要： | 描述了用于制备Si LED发光器件的Si材料的一些特性和Si发光器件的发光原理,分析了影响Si发光器件发光性能的主要因素.介绍了采用新加坡Charter公司的0.35 μm标准CMOS工艺最新设计和制备的U型Si LED发光器件,设计和制备此U型器件主要目的是尽可能大的提高侧面发光效率.在对器件进行了电学和光学特性的测量后,得到了Si LED发光及实际版图的显微图形以及器件的正反向Ⅰ-Ⅴ特性和发光光谱.器件在室温下反向偏王,50 mA电流下所得辐射亮度值为14.43 nW,发光峰值在772 nm处.
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| 关 键 词： | 硅发光二极管 CMOS标准工艺 侧面发光 辐射亮度 发光峰值 |
Emitting Analysis of U Type Si LED Based on Standard CMOS Technology |
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| Yang Guanghua,Mao Luhong,Wang Wei,Huang Chunhong,Guo Weilian. Emitting Analysis of U Type Si LED Based on Standard CMOS Technology[J]. Semiconductor Technology, 2009, 34(5). DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.05.004 |
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| Authors: | Yang Guanghua Mao Luhong Wang Wei Huang Chunhong Guo Weilian |
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| Affiliation: | 1.Information & Communication Inst.;Tianjin Polytechnic University;Tianjin 300160;China;2.Electronic & Information School;Tianjin University;Tianjin 300072;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si LED standard CMOS technology side emitting radiant intensity emitting peak value |
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