| 介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器 |
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| 引用本文： | 杨跃德,隋少帅,唐明英,肖金龙,杜云,黄永箴.介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器[J].激光与光电子学进展,2014(11). |
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| 作者姓名： | 杨跃德 隋少帅 唐明英 肖金龙 杜云 黄永箴 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室; |
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| 基金项目： | 国家863计划(2012AA012202);国家自然科学基金(61061160502) |
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| 摘 要： | 硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 晶片键合 III-V/硅基混合集成 金属限制 |
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