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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器
作者姓名:
杨跃德
隋少帅
唐明英
肖金龙
杜云
黄永箴
作者单位:
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;
基金项目:
国家863计划(2012AA012202);国家自然科学基金(61061160502)
摘 要:
硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。
关 键 词:
半导体激光器
晶片键合
III-V/硅基混合集成
金属限制
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