| 衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计 |
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| 引用本文： | 尹韬,朱樟明,杨银堂,郭磊.衬底驱动MOSFET特性分析及超低压运算放大器设计[J].半导体学报,2005,26(1):158-162. |
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| 作者姓名： | 尹韬 朱樟明 杨银堂 郭磊 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 西安710071
(尹韬，朱樟明，杨银堂)，西安电子科技大学微电子研究所 西安710071(郭磊) |
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| 摘 要： | 讨论分析了衬底驱动MOSFET的工作原理、频率特性和噪声特性，并对其低压特性进行了分析和仿真．基于PMOS衬底驱动技术，设计实现了超低压运算放大器．在0.8V电源电压下，运算放大器的直流开环增益为74dB，相位裕度为66°，失调电压为940μV，输出电压范围为110～798mV．
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| 关 键 词： | 超低压 衬底驱动 运算放大器 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0158-05 |
| 修稿时间： | 2003年11月17日 |
Analysis of Bulk-Driven MOSFET and Design of Ultra-Low Voltage Operational Amplifier |
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| Yin Tao,Zhu Zhangming,Yang Yintang,and Guo Lei.Analysis of Bulk-Driven MOSFET and Design of Ultra-Low Voltage Operational Amplifier[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):158-162. |
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| Authors: | Yin Tao Zhu Zhangming Yang Yintang and Guo Lei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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