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| 一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型 | |
| 引用本文： | 汪明娟,李曦,张孟迪,任铮,胡少坚,石艳玲.一种应用于45nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型[J].电子器件,2012,35(3):267-270. |
| 作者姓名： | 汪明娟 李曦 张孟迪 任铮 胡少坚 石艳玲 |
| 作者单位： | 1. 华东师范大学电子工程系,上海,200241 2. 华东师范大学电子工程系,上海200241;上海集成电路研发中心,上海201210 3. 上海集成电路研发中心,上海,201210 |
| 基金项目： | 国家科技部重大专项项目 |
| 摘 要： | 描述了一种新的应用于45 nm MOSFET电学仿真的版图相关的PSP应力模型。该应力模型主要考虑了多晶硅栅极相关的两种版图效应:相邻PC(多晶硅栅)的间距、dummy PC个数。模型重新定义了MOSFET在应力作用下两个PSP模型基本参数μ0和VFB0,并且根据模型确定晶体管线性漏极电流Idlin、饱和漏极电流Idsat、线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat随着以上两种版图效应的变化曲线。 |
| 关 键 词： | 版图相关 应力模型 栅极多晶硅 PSP模型 |
A New Layout-Dependence PSP Stress Model for 45nm MOSFET Electrical Simulation |
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| WANG Mingjuan , LI Xi , ZHANG Mengdi , REN Zheng , HU Shaojian , SHI Yanling.A New Layout-Dependence PSP Stress Model for 45nm MOSFET Electrical Simulation[J].Journal of Electron Devices,2012,35(3):267-270. | |
| Authors: | WANG Mingjuan LI Xi ZHANG Mengdi REN Zheng HU Shaojian SHI Yanling |
| Affiliation: | 1(1.School of Electronic Engineering,East China Normal University,Shanghai 200241,China; 2.Shanghai IC R&D Center,Zhangjiang Hi-Tech Park,Shanghai 201210,China) |
| Abstract: | This paper reports and demonstrates a new layout-dependent PSP stress model for 45nm MOSFET electronic simulation.This model takes into account two poly related layout effects,including the space of adjacent poly-silicon and the number of dummy poly.The model redefines the two basic parameters of PSP model:μ0 and VFB0.Besides,the typical Idlin、Idsat 、Vtlin and Vth fluctuation as a function of layout effect are also plotted according to this model. |
| Keywords: | layout dependences stress model gate poly PSP model |
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