首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

离子注入碳化硅实现低温下外延合成石墨烯
作者姓名:张瑞
作者单位:太原科技大学
摘    要:正通过高温加热碳化硅在其表面上外延形成均匀、大面积的石墨烯,是目前石墨烯制备行业最主要的方法之一。但由于碳化硅具有超高的热解温度,给设备方面提出了很大的挑战,限制了该方法在实际生产中的应用。太原科技大学以降低碳化硅热解合成石墨烯所需要的温度为出发点,采用离子注入方法,研究离子注入过程对制备石墨烯薄层结构和基本物理性能的影响,探讨离子注入手段在碳化硅热解合成石墨烯过程中的作用

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《中国表面工程》浏览原始摘要信息
点击此处可从《中国表面工程》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号