| RTD多值逻辑电路原理与电路模拟 |
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| 引用本文： | 刘宏伟,牛萍娟,郭维廉.RTD多值逻辑电路原理与电路模拟[J].微纳电子技术,2004,41(11):12-16. |
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| 作者姓名： | 刘宏伟 牛萍娟 郭维廉 |
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| 作者单位： | 1. 天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160
2. 天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160;天津大学电子信息学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 天津市高等学校科技发展基金资助项目(20020711) |
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| 摘 要： | 由共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)构成的多值逻辑(MVL)电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能,达到大大简化电路的目的。共振隧穿二极管和高电子迁移率晶体管属于量子器件,具有高频高速的特点,所以这一逻辑电路有很好的应用前景。本文就多值逻辑电路中的几个典型电路用Pspice软件进行电路模拟,得到了与理论分析一致的模拟结果。
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| 关 键 词： | 多值逻辑 Pspice模拟 三态输出 文字逻辑 折线量化 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)11-0012-05 |
| 修稿时间： | 2004年8月2日 |
Simulation of RTD multiple valued logic circuit |
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| LIU Hong-wei,NIU Ping-juan,GUO Wei-lian.Simulation of RTD multiple valued logic circuit[J].Micronanoelectronic Technology,2004,41(11):12-16. |
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| Authors: | LIU Hong-wei NIU Ping-juan GUO Wei-lian |
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| Affiliation: | LIU Hong-wei1,NIU Ping-juan1,GUO Wei-lian1,2 |
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| Abstract: | The multiple valued logic(MVL)circuits,which composed by resonant tunneling diodes(RTD)and high electron mobility transistors(HEMT),can complete definite logic functions with less devices. So the MVL circuits are simplified. On the other hand,the RTD and HEMT are quantum devices with advantages of high frequency and high speed. Above all,the RTD circuits have a great potential for future application. In this paper,several typical MVL circuits are simulated with Pspice and the results are in agreement with theoretical analysis. |
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| Keywords: | MVL Pspice simulation ternary output literal logic multivalued-to-binary conver-ter |
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