| 制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术 |
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| 引用本文： | 葛劢冲.制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术[J].电子工业专用设备,2001,30(4):37-40,44. |
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| 作者姓名： | 葛劢冲 |
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| 作者单位： | 麦迪逊威斯康星大学电子计算机工程系, |
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| 摘 要： | 极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2 0nm多晶硅栅图形过渡
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| 关 键 词： | 极紫外光刻技术 图形传输 干涉光刻 光抗蚀剂 |
| 文章编号： | 1004-4507(2001)04-0037-04 |
| 修稿时间： | 2001年8月15日 |
EUV Nanolithography: Sub-50 nm L/S |
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