| 核壳结构SiCNWs@SiO2/PVDF复合材料的制备与介电储能特性 |
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| 引用本文： | 苏宇,翁凌,王小明,关丽珠,张笑瑞.核壳结构SiCNWs@SiO2/PVDF复合材料的制备与介电储能特性[J].材料导报,2023(11):194-204. |
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| 作者姓名： | 苏宇 翁凌 王小明 关丽珠 张笑瑞 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨理工大学材料科学与化学工程学院;2. 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（51677045）； |
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| 摘 要： | 为了加速新能源电子器件向微型化和集成化的方向发展，提高电子器件内部介电复合材料的性能至为重要，介电复合材料的介电性能和储能性能直接影响电子器件的质量，如何提高介电复合材料的介电性能和储能性能等引起了研究者们的广泛关注。以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体，碳化硅纳米线(SiCNWs)和核壳结构碳化硅纳米线@二氧化硅(SiCNWs@SiO2)为填料，通过溶液共混相转换法及热压工艺制备出一系列的SiCNWs/PVDF二元复合材料和SiCNWs@SiO2/PVDF复合材料。探究介电纳米填料的表面修饰对PVDF基复合材料的微观结构、宏观介电性能和储能性能等的影响。实验结果表明，硅烷偶联剂KH550成功改性SiCNWs；通过一步法热氧化工艺成功制备出具有典型核壳结构的SiCNWs@SiO2纳米线，SiO2壳层的厚度随着SiCNWs热氧化时间的延长而增大，当SiCNWs热氧化时间为10 h,SiO2壳层的厚度为6.5 nm；采用相转换法和热压处理成功制备一系列的SiCNWs/PVDF二元复合材料...
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| 关 键 词： | 聚偏氟乙烯 碳化硅纳米线 核壳结构 介电性能 储能密度 |
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