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| GaAs/GaAlAs量子阱在电场作用下光电流谱的研究 | |
| 作者姓名： | 江德生 刘大欣 张耀辉 段海龙 吴荣汉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083(江德生，刘大欣，张耀辉，段海龙)，中国科学院半导体研究所 北京100083(吴荣汉) |
| 摘 要： | 我们用室温和低温下电场下的光电流谱研究了 GaAs/AlGaAs多量子阱p-i-n 二极管的量子限制斯塔克效应.侧面光照下测量的光电流谱明显地反映出轻重空穴激子峰的偏振效应.对光电流谱和光致发光激发光谱进行对比发现,外加电场不仅影响光吸收,也影响多量子阱中光生载流子的漂移过程.光电流谱的线形用 P~-/n~+结的耗尽模型进行了分析,并计入了入射光强度在光传播过程中由于产生吸收跃迁而发生的衰减.光电流谱峰与激发光谱峰的斯塔克位移提供了多量子阱中电场分布的信息,并证明了耗尽区模型的正确性. |
| 关 键 词： | 量子阱 电场 二极管 光电流谱 |
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